第246章 如果有这一半的速度，再加上这质量…

到晚上十点半左右，陈舟把张一凡送出了房间。

张一凡得抓紧时间赶回学校了，据他所说，他们的宿管阿姨简直不要太凶。

如果被锁在门外，写检讨都是轻的。

搞不好还要被通报批评呢。

见他说的这么严重，陈舟自然也不敢耽误他的时间。

只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和蔼可亲的吗？

要是晚归，不都是赶紧让你进来，生怕耽误你休息的吗？

帮张一凡喊了辆出租车，看着他上车，陈舟才再次回到房间。

一回去，就看到沈靖打了个哈欠。

陈舟不禁笑了笑，今天起得其实挺早的，而且在高铁上并没有补觉，这会这个点，确实有点犯困了。

“学长，先回去休息吧，明天四十三所的实验也要正式开始了。”

但是整体来说，这种方法还是很有研究潜力的。

是四十三所所采用的的方法。

可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。

沈靖将信将疑的离开了，但回到房间后他觉得不对，这小子的一会到底是个什么概念呢？

现如今，这种方法已经形成了多种形式。

是极快，不是一般的快！

在上世纪90年代的时候，就有实验室利用阴阳极呈直角的反应器实现了930m/h的高速生长。

他是真的有点困了，如果按照一天的活动时间来算的话，那他已经连续近16个小时没有休息了。

而且，就算是930μm/h，那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μm/h的。

也是因为这种告诉生长的速率，这种方法一度成为热点方法。

引弧的气体通常是氩气，等形成等离子体射流后，通入反应气体甲烷和氢气，甲烷和氢气被离化，并达到水冷沉积台的衬底，在衬底上成核、生长金刚石薄膜。

举个例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μm/h 的速率沉积光学级金刚石薄膜。

把DAPCVD法的相关文献看完后，陈舟右手滑动鼠标，点开了一个新的PDF文件。

这种方法的优点就是，有极快的沉积速度。

最后一个制备方法。

很好的解决了膜的致密度不高的问题同时，还可以产生大体积的金刚石薄膜。

在沉积速度过快时，膜的表面不平整，就会大大降低膜的致密度。

“气体压力……”

制备工艺的话，也并不复杂。

而且这种方法制备金刚石薄膜，不禁速度快，而且质量高，还无电磁污染。

而用10kW微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μm/h。

或许连自行车都算不上。

沈靖看了陈舟一眼，把东西收拾好，朝自己房间走去。

而高压等离子体就会由耦合器的“针孔”处喷射到水冷的样品台上，继而形成金刚石薄膜。

如果在同等条件下，将压力提高至310Torr下，可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。

陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。

“没事，我再整理两篇。”沈靖说完，又打了个哈欠。

放下笔，陈舟滑动鼠标，继续看文献的内容。

除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。

此外，这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。

陈舟在草稿纸上做着记录，并把自己的想法记在一旁。

微波等离子体CVD法，也就是MPCVD法。

陈舟轻声笑道：“不至于，我再看一会就睡了。”

陈舟这边，等沈靖离开后，便坐回桌子前，继续看文献。

还剩两个，直流电弧等离子喷射CVD法和微波等离子体CVD法。

它们的沉积速率，都是和微波功率有关的。

相比之下，一个的速度就是火箭，另一个则是自行车。

也是陈舟查这么文献的目的。

想了一会，沈靖把电脑重新打开了。

更不要说930m/h了。

拿笔点了两下，随手便划了两个圈。

临出门时，他突然停下脚步，转头问陈舟：“你该不会熬夜看文献吧？”

“好啦，这事不急在一时，明天再弄。”陈舟说着过去帮沈靖关了电脑，督促他赶紧去睡觉。

这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器，将2~5W的矩形微波进行导转换，在大气压下形成等离子体。

主要就是在杆状阴极和环形阳极之间施加直流电压，当气体通过时引发电弧，加热气体，高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出，形成等离子体射流。

这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。

和DAPCVD法使用的气源相同，主要是氩气，反应气体是甲烷和氢气。

也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。

“微波功率……”

给自己打了个气，沈靖便开始继续了。

工作，具有专注力的工作，将抵消那股疲惫的困意！

这是重点。

和DAPCVD法被报道的时间，仅相隔一年。

这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。

看到这，陈舟古怪的笑了笑：“看来，太快了也不好……”

不过不管是按真空室的形成来分的石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式，还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。

在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160Torr气体压力下，可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。

但是，由于喷射等离子体的速度场合温度场不均匀，使其沉积范围内膜厚不均，会呈梯形分布。

而且MPCVD法无内部电极，可以避免电极放电污染和电极腐蚀。

这可是930m/h，不是930μm/h！

MPCVD法之所以会成为最广泛的方法，是因为这种方法比DAPCVD法制备的金刚石薄膜质量更好。

直流电弧等离子喷射CVD法，也叫DAPCVD法。

但是，就像四十三所实验室的装置一样，MPCVD法的沉积速率是硬伤。

看完了这篇详细介绍MPCVD法的文献后，陈舟不禁想到。

“如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制备质量，那这事不就成了吗？”

各位书友，今天晚上十点半才到家，在加班，各位谅解一下，晚点还有一更，可以明天看，晚安。

(本章完)